S3D10065G-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.51V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.51V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和较高的工作温度能力，适用于需要高效能与紧凑设计的电力转换场合。器件在高频率整流、电源适配器、光伏逆变以及储能系统中表现出良好的稳定性和低损耗特性，是现代电力电子设计中实现高效率和高可靠性的关键元件之一。
