IDK08G65C5XTMA2-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.42V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.42V。其基于碳化硅材料的特性，展现出优异的开关性能和较高的工作温度能力。该器件适用于需要高效能功率转换的场合，可用于电源转换系统、可再生能源逆变装置以及高频率开关电路中，有助于提升系统整体效率并减小散热设计负担，是现代高功率密度电子设备中的关键元件。
