R6511KND3TL1-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻为260mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至!6V，确保器件在驱动信号下的稳定关断与导通。依托碳化硅材料的高耐压与高热导率特性，该器件支持高频开关操作，具备优异的热稳定性和耐久性。典型应用包括高效开关电源、不间断电源系统、光伏逆变单元、高密度电源模块及高压直流变换装置，适用于对转换效率和功率密度有较高需求的电力电子设计场景。
