STD18N65M2-EP-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持可靠驱动与负压关断，提升系统稳定性。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高频开关性能、耐高温能力和低开关损耗，适用于高效率电源转换拓扑，如PFC电路、开关电源模块、光伏逆变单元及高功率密度DC-AC变换装置，适合对能效和热管理有严苛要求的应用场景。
