YJD106510PQG2_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高功率电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗，有助于提升整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高温稳定性和极快的开关速度，反向恢复特性理想，适用于高频、高效率的功率转换电路。常见于高性能电源适配器、服务器电源单元、可再生能源发电设备及高密度开关电源模块中，满足对散热性能和空间利用要求较高的设计需求。
