LGE3D10065A_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式单管设计，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，显著低于传统硅基器件，可有效降低导通损耗。碳化硅材料带来的高开关速度与低反向恢复电荷，使其在高频工作条件下仍能保持较高能效。该器件常用于高性能电源模块、高效直流变换装置及可再生能源发电设备中的功率整流与续流环节，支持紧凑化设计与高效热管理。
