B1D06065K_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.36V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的开关速度与较低的反向恢复电荷，可显著减少高频工作下的开关损耗。其耐高温特性支持在较高环境温度下稳定运行，适用于高效率电源转换电路，如服务器电源、储能系统中的功率因数校正单元以及直流变换模块。器件设计兼顾电气性能与长期可靠性，适合对能效和热管理有较高要求的应用场景。
