KN3D10065G_DFN8X8_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.37V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高电压环境下可有效阻断反向电流。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的开关性能和高温工作能力，适用于高频率、高效率的电源转换场合，如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流变换器中，能够满足对功率密度和热管理有较高要求的电力电子设计需求。
