CI10S65C4I_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）低至1.38V，具备优异的导通性能和较低的功率损耗。采用碳化硅材料，具有出色的耐高温特性和极短的反向恢复时间，适用于高频、高效率的电力电子电路。典型应用涵盖高功率密度电源适配器、服务器电源、可再生能源逆变装置及储能系统中的整流与续流单元，适合对系统效率和热管理有严苛要求的先进电子设备。
