GC4D08120A_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:8A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.45V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，具有8A的正向平均电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压阻断场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.45V，在高温与高负载条件下仍保持稳定的电气性能。得益于碳化硅材料的特性，器件具备快速开关能力与较低的反向恢复电荷，有助于减少开关损耗。适用于高效率电源转换装置、大功率开关电源、可再生能源逆变系统及对热性能要求较高的紧凑型电子设备，支持高频、高温环境下的持续稳定运行。
