IPAN60R210PFD7SXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V，确保了驱动兼容性与可靠性。得益于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关应用中表现出色，可有效降低开关损耗与系统热耗。典型应用场景包括高密度电源转换、可再生能源发电系统中的直流变换模块以及高要求的电力传输与分配设备。
