BCL65S10D3_DFN8X8_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.37V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关特性与高温工作能力，反向恢复时间极短，可显著降低开关损耗。其高耐压与低导通损耗特性适用于高效率直流-直流转换器、高性能电源模块及可再生能源发电系统中的功率转换电路，适合对能效和功率密度要求较高的应用场景，有助于提升系统整体效率与热性能表现。
