IPD65R380C6ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为260mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-5V至!6V，支持标准驱动电路，确保开关动作的稳定性。依托碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频开关电源、高效直流变换器及高功率密度电源模块，能够在较高结温下可靠运行，适用于对能效和空间利用率有较高要求的电力转换应用。
