KS10065-B_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.37V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和快速开关特性，反向恢复损耗极小，可有效提升系统能效。其结构设计有利于散热管理，适用于高频率、高效率的电力转换应用，如大功率开关电源、不间断电源系统、可再生能源逆变装置及高密度电源模块，能够在严苛的电气环境中提供可靠的整流性能，满足对功率密度和系统效率有较高要求的电路设计需求。
