B2D06065E_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向耐压（VR）为650V，正向导通压降（VF）典型值为1.36V。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关能力与热导性能，可承受较高的结温运行。其低反向漏电流与快速恢复特性，有助于减少开关过程中的能量损耗。适用于高效率直流-交流转换设备、高性能电源模块、储能系统中的整流与续流电路，以及对能效和空间利用率有较高要求的电力变换装置。
