IPD65R420CFDA-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，该器件在高电压、高频率工作条件下仍能保持优异的开关性能与热稳定性。典型应用场景涵盖高效能电源系统、太阳能逆变装置、数据中心电源模块及高密度能源转换设备，适用于对能效与功率密度有较高要求的电力电子设计。
