PCDP0665G1_T0_00001_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，能量损耗低。该器件适用于高频率、高效率的电源转换场景，如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流转换器中，能够有效提升系统整体效率并减少散热需求，是现代高功率密度电源设计中的关键元件。
