R6509KND3TL1-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:6.8A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:460mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至460mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-4V至!8V，具备良好的开关特性与热稳定性。基于碳化硅材料的特性，器件支持高频工作，有效降低开关损耗，适用于高密度电源系统，如高效开关电源、DC-DC转换模块及高功率密度适配器等场景，可提升系统整体能效与可靠性。
