SPA15N60C3XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至!6V，支持常规驱动电路设计。得益于碳化硅半导体材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频开关电源、高压直流变换、不间断电源及可再生能源逆变系统等应用，能够在高电压、高功率密度环境下稳定工作，满足对热性能和能效有较高要求的电力电子设计方案。
