STD18N65M5-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻为160mΩ，有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的高温工作能力与快速开关性能，适用于高频率、高效率的电力转换应用。典型使用场景包括高压直流变换器、不间断电源系统、可再生能源发电设备中的逆变单元以及对功率密度和热管理要求较高的紧凑型电子装置。
