AS2M040120P_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备60A的连续漏极电流能力及40mΩ的超低导通电阻。采用碳化硅半导体技术，显著提升器件的导热效率与开关性能，适用于高功率密度与高频开关应用。其优异的耐高压与低损耗特性，广泛应用于高效能电源系统、新能源储能、智能电网及精密电子设备中，满足对效率与稳定性有严苛要求的电路设计方案。
