GC3M0015065D_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:15mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为650V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备120A的连续漏极电流能力，导通电阻低至15mΩ，适用于高效率、大电流的电源转换系统。碳化硅材料的特性使其具备优异的热导率和较高的击穿电场强度，支持高频工作与高效能转换。该器件适用于多种高性能电源应用，如高效开关电源、储能系统、光伏逆变器等，提供出色的电气性能和稳定性，满足复杂工况下的设计要求。
