ADW120N040BH_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品是一款1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有良好的高频开关特性和导通性能。其额定漏极电流ID为60A，导通电阻RDON为40mΩ，有助于提升系统能效并降低功率损耗。碳化硅材料的使用提升了器件的热稳定性和耐高压能力，适用于高效率电源转换设备、不间断电源、可再生能源系统中的逆变装置、高频功率变换器等多种高要求应用场景。器件设计优化，具备较强的可靠性和适应复杂工况的能力。
