IPD65R225C7ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，可有效降低开关与导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的高频开关能力与热稳定性，适用于高功率密度的电源转换设计。典型应用包括高效直流-直流变换器、功率因数校正电路及高压电源模块，适合对能效与系统体积有较高要求的电力电子场景。
