YJD106510DQG2Q_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.37V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向耐压（VR）为650V，适用于中高功率电源应用。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料，器件具备优异的高温工作性能和快速开关特性，反向恢复时间短，可有效降低开关损耗。适用于高频率开关电源、高效直流变换器、可再生能源发电系统中的功率转换模块，以及对功率密度和热稳定性要求较高的电源设计场景。
