IPA60R280CFD7XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源电压额定值（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统热性能。栅源电压范围为-5V至!6V，确保驱动稳定性与器件可靠性。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，该器件支持高频开关操作，具有较低的开关损耗和优异的高温工作表现，适用于高效率、高功率密度的电力电子系统，如大功率开关电源、可再生能源发电逆变装置、储能系统功率转换级及高频率DC-DC变换电路。
