SICF0860P-BP-HXY_TO-220F-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V。基于碳化硅材料，该二极管具有优异的高温稳定性与抗辐射能力，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。其特性适用于高效率、高频率的电力转换场景，如高性能电源模块、可再生能源逆变系统、服务器电源单元以及高密度DC-DC变换器。器件能有效降低开关损耗，提升系统功率密度与整体能效，满足严苛的电力电子设计需求。
