NVD360N65S3T4G-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率、高频率的电力转换场景。其栅源电压范围为-5V至!6V，确保了稳定可靠的开关控制。得益于碳化硅材料的优异特性，器件具有出色的耐压能力与热稳定性，可显著降低开关损耗。典型应用包括高效电源模块、可再生能源逆变系统及高密度功率变换装置，适合对能效和功率密度有较高要求的电路设计。
