NVD260N65S3T4G-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V，确保了稳定可靠的栅极控制。得益于碳化硅材料的特性，该器件可在较高温度下运行，具有优异的开关性能和耐压能力，适用于高频率、高功率密度的电源系统，如高效能交直流转换装置、可再生能源逆变设备及高功率密度电源模块，有助于提升系统整体能效并减小散热设计负担。
