STFU16N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V，确保了稳定的开关控制与驱动兼容性。采用宽禁带半导体材料，显著降低开关损耗，提升系统整体能效。典型应用包括高频开关电源、光伏逆变系统、高密度电源模块及高可靠性电力转换装置，适合对热性能与空间布局有严苛要求的场景。
