FCPF260N60E-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源电压范围为-5V至!6V，确保了稳定可靠的开关控制。得益于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作能力与开关速度，可显著降低系统能耗并提升功率密度。典型应用包括高频直流变换器、电源模块及高效能适配器等对热性能和电气性能要求较高的场合。
