IXFP18N65X2M-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ，有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压（VGS）支持-5V至!6V范围，具备良好的驱动兼容性与开关稳定性。依托碳化硅材料的高耐压、低反向恢复电荷特性，器件适用于高频、高效率的电力转换拓扑，如PFC电路、DC-AC逆变装置及高功率密度电源模块，可在严苛工作条件下实现优异的热性能与系统可靠性。
