IPA65R190C6XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道碳化硅场效应管，具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定的驱动控制。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，该器件可在高频、高温及高压条件下稳定运行，适用于高效开关电源、可再生能源发电系统、不间断电源及高功率密度转换装置中的功率开关应用。
