IPAW60R280CE-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至160mΩ，可显著降低功率损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，确保栅极驱动的可靠性与灵活性。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，该器件支持高频开关操作，具备优异的耐高温性能和动态响应能力。适用于高功率密度电源系统，如大功率开关电源、高效逆变装置及可再生能源能量转换平台，有助于提升系统整体效率与热管理表现。
