IV1D12005O2_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:5A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，具备5A的正向平均电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压、中等电流的电力转换环境。其正向压降（VF）为1.38V，在导通状态下能量损耗较低，有利于提高系统能效。器件利用碳化硅材料的高耐压与快速开关特性，表现出优异的反向恢复性能和高温工作稳定性。典型应用涵盖高密度电源适配器、高压直流变换器、储能系统中的功率因数校正电路以及高效逆变装置，适合对热管理与转换效率有严格要求的高性能电子设备设计。
