C3M0065100K_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:1000V 参数3：RDON:65mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有1000V的漏源耐压（VDSS）和36A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）仅为65mΩ，表现出优异的导电性能和较低的开关损耗。基于碳化硅材料的特性，该器件具备良好的热稳定性和高频工作能力，适用于高效率电源转换、智能电网设备、可再生能源系统及高端家电等应用场景，为系统提升能效和可靠性提供有力支持。
