G3R30MT12K_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:25mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），基于碳化硅半导体技术，具备优异的高频开关性能和低导通损耗特性。其最大连续漏极电流（ID）为80A，导通电阻（RDON）为25mΩ，有助于提升系统整体能效并减少发热。适用于各类高效能电源转换设备，如高密度电源模块、可再生能源接入装置及智能电力管理系统。器件具备良好的热稳定性和耐高压能力，能够在复杂电磁环境中提供可靠、稳定的电力控制表现。
