VBP112MC60-4L_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用高性能碳化硅半导体技术，具有高耐压、低导通电阻和优异的开关特性。最大连续漏极电流（ID）为60A，典型导通电阻（RDON）仅为40mΩ，支持高效、高密度功率设计。适用于高效率电源转换系统、高频开关电源以及其他对性能和可靠性有严苛要求的电力电子设备。优化的器件结构提升了热管理能力，确保在复杂电气环境中的稳定运行。
