YJD112010DQG2_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.39V。基于碳化硅材料，具备优异的高温稳定性与快速开关特性，反向恢复电荷极低，可显著减少高频工作下的开关损耗。适用于高电压、高效率的电力转换系统，如大功率开关电源、储能系统中的逆变单元、高密度电源适配器及可再生能源发电设备中的整流与续流环节，有助于提升系统能效与可靠性。
