BCD120S10D2_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），在高电压应用中表现出优异的耐压能力。其正向压降（VF）低至1.39V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，同时具备出色的热稳定性，适用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力转换场景，如高效电源模块、可再生能源逆变系统及高可靠性储能装置等。
