IDH10G65C5XKSA2-HXY_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率应用。其正向压降（VF）为1.38V，导通损耗较低，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备出色的开关性能，反向恢复时间短，可有效减少高频工作下的能量损耗。适用于高效率电源转换设计，如服务器电源、数据中心供电单元、光伏微逆系统以及对热稳定性与空间利用率要求较高的紧凑型电力电子设备。
