C3D08065I-HXY_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为8A，反向耐压650V，正向导通压降为1.38V，具备低损耗与高效率的导通特性。基于碳化硅半导体材料，器件具有优异的反向恢复性能，可显著降低开关过程中的能量损耗，支持高频工作模式。其热稳定性良好，有助于减少散热设计负担。典型应用包括高效能电源转换系统、服务器电源模块、储能系统的功率变换电路，以及对能效和功率密度有较高要求的电力电子装置。
