S4D10120E_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，正向压降（VF）为1.39V。基于碳化硅材料特性，具备优异的高温工作能力与高热导率，支持快速开关，反向恢复电荷极低，可有效减少开关损耗。其高耐压与高电流承载能力适用于高功率密度电源系统，如大功率开关电源、高压直流变换装置、光伏逆变器及储能系统中的整流与续流电路，能够在高输入电压与高温条件下维持系统效率与长期运行稳定性。
