LGE3D20065A_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，具备20A的正向电流（IF）与650V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.4V。采用碳化硅半导体材料，显著降低导通损耗与开关损耗，支持高频工作模式。器件具有优异的热稳定性和抗浪涌能力，适用于高功率密度电源系统。典型应用场景包括高效开关电源、不间断电源、光伏逆变装置及高可靠性电力转换模块，满足对能效与空间利用有较高要求的电路设计需求。
