PCDB0665G1_R2_00001_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率转换场合。其正向导通压降（VF）为1.36V，在导通状态下能量损耗较低，有助于提升系统效率。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关特性和高温工作稳定性，反向恢复特性接近理想状态，可有效减少开关损耗。适用于高频率、高效率要求的电源拓扑结构，如高效AC-DC、DC-DC转换器、服务器电源及可再生能源发电系统中的功率整流环节。
