LSIC2SD065D08A-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.42V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具有8A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）低至1.42V。基于碳化硅材料的优异特性，器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗，适用于高频、高效率的电力转换电路。其良好的热导性能和耐高温特性，有助于提升系统在严苛工作条件下的稳定性，常用于高性能电源模块、可再生能源逆变系统及高密度电源设计中。
