R6524ENXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V，确保了稳定可靠的开关控制。得益于碳化硅材料的特性，器件具有优异的高温工作性能和快速开关能力，可有效降低系统损耗。典型应用包括高频DC-DC变换器、电源模块、太阳能逆变系统及高密度电源转换装置，适合对能效和功率密度有较高要求的场景。
