IPD65R190C7ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源击穿电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。采用宽禁带半导体材料，具有优异的高频开关性能与高温工作能力。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、不间断电源（UPS）、储能系统中的DC-DC变换器及光伏逆变模块，有助于提升系统能效并减小被动器件体积。
