R6524KNXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻为160mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，该器件具备优异的高频开关能力、高温工作稳定性及较低的开关损耗。适用于高效率开关电源、高压直流变换装置、可再生能源发电逆变单元及高功率密度电源系统，尤其适合对热管理性能和能量转换效率有较高要求的电力电子设计场景。
