IV1D12010P2Z_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.39V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的工作温度和更快的开关速度，适用于高频开关电源、高效直流变换器及要求严苛的电力转换场景，可有效降低散热需求和系统体积，提升功率密度与运行可靠性。
